SK海力士联手闪迪在8月4日发布了下一代存储技术HBF（高带宽闪存）的首个行业标准，这是一种介于HBM和SSD之间的全新存储层级，瞄准AI推理场景中“既要高速又要大容量”的痛点。
一、HBF技术定位与核心规格
HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）是一种基于NAND闪存的新型存储技术，在存储层级中填补了HBM和SSD之间的空白——它拥有接近HBM的高速数据传输能力，同时依托NAND闪存实现远高于HBM的存储容量。- 容量与堆叠：采用8层和16层NAND芯片堆叠，单颗最高支持512GB容量- 带宽分级：按Grade1-3三个等级，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s- 互联标准：采用行业标准UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）协议，可灵活连接GPU、CPU等不同类型处理器- 功耗性能：基于SK海力士V10 375层4D NAND，功耗效率较上一代提升2.5倍
二、与HBM和SSD的核心区别
HBF、HBM、SSD三者从物理介质、性能到应用场景均有本质差异：
- 维度
- HBM
- HBF
- SSD
- 物理介质DRAM（动态随机存取存储器）NAND闪存NAND闪存
- 核心定位“热存储”，处理即时计算介于HBM与SSD之间的中间层持久化大容量存储
- 速度极高（带宽超3TB/s）高（0.4~3.0TB/s）低（约GB/s级）
- 容量小（单颗约16~64GB）大（最高512GB）极大（TB级）
- 成本极高相对较低低
- 主要用途AI训练、GPU即时计算AI推理、分层内存架构数据存储、系统盘
行业将HBM比喻为“书架”，HBF比喻为“图书馆”——书架取书快但容量有限，图书馆容量巨大，配合书架才能高效运转。
三、为何HBF是SK海力士的“重磅利好”
HBF首套标准的发布，对SK海力士有直接的战略意义：- 开辟新赛道：HBF有望成为继HBM之后的又一AI存储核心品类，“HBM之父”金正浩预测，HBF需求将在2038年超过HBM- 技术协同：HBF基于SK海力士自研的V10 375层4D NAND，公司同时推动HBM与HBF整合的“H3”架构，将两者并列部署在GPU旁- 生态联盟：标准由OCP（开放计算项目）发布，已吸引谷歌与Tenstorrent加入联盟，目前正开发兼容硬件与软件工具- 市场前景：行业预计HBM市场将从2025年的346亿美元增至2030年的2460亿美元，HBF若按预测发展，市场规模可达千亿美元级别