小米玄戒O100采用全球首个6nm晶圆级垂直堆叠（Wafer on Wafer）先进封装，配合Hybrid Bonding混合键合工艺，实现1.22TB/s超高带宽，其封装方案为小米自主研发设计，但制造环节依赖于台积电等专业代工厂。
一、玄戒O100封装技术的核心突破
行业首创：玄戒O100是行业首颗采用6nm晶圆级垂直堆叠先进封装的芯片，属于3D晶圆级堆叠而非传统POP封装。
混合键合：采用Hybrid Bonding混合键合工艺，键合间距仅1.4微米，拥有258万个物理键合节点，实现14个NPU与14组DRAM直连。
超高带宽：通过28672根有效数据线实现1.22TB/s传输带宽，达到移动端HBM级别，是旗舰手机带宽的16倍。
二、封装技术的自研属性与第三方协作
自主研发设计：玄戒O100由小米旗下北京玄戒技术有限公司自主研发，小米已具备SoC芯片全栈自研能力，五年累计研发投入超210亿元，团队近3000人。
制造依赖代工：芯片采用台积电6nm工艺（N6），3D封装方案与台积电SoIC技术路径相符，制造环节由台积电等专业代工厂完成。
产业链协作：小米在成熟环节积极扶持国产供应商，但核心制造仍依赖全球顶尖伙伴，属于全球化资源整合模式。
三、封装技术的应用价值与商用前景
端侧AI加速：玄戒O100专为端侧大模型打造，采用近存AI计算架构，运行小米MiMo 3B模型时端侧推理速度最高达330TPS。
原型机验证：在玄戒O100原型机中实现O3+O100双芯协同，实测推理速度达每秒295 Tokens，支持主动风冷散热。
商用规划：玄戒O100已完成研发，将于2027年正式商用，未来将大规模应用于多产品线。
