哈尔滨工业大学朱嘉琦教授团队十年磨一剑，自研设备成功造出8英寸高品质金刚石，打破了国外长期技术封锁，为AI芯片散热瓶颈提供了终极解决方案。
一、超高热导率突破散热极限
导热性能跃升：金刚石室温热导率达2000～2200W/(m·K)，是铜的5倍、铝的10倍、硅的近15倍。
解决热淤积痛点：高端AI芯片功耗已突破2300W，局部热流密度超过1000W/cm²，传统铜散热材料（约400W/(m·K)）易形成“热淤积”，导致芯片降频、寿命缩短。
算力直接提升：采用金刚石散热片的GPU温度可降低10℃以上，算力提升15%～22%，支持高达50℃的工作环境温度。
二、热膨胀匹配保障芯片可靠
CTE高度匹配：金刚石热膨胀系数仅1.0～1.7ppm/K，与硅、碳化硅、氮化镓等半导体材料高度匹配，大幅降低芯片与散热材料间的热应力。
极端环境稳定：金刚石耐高温超600℃，耐腐蚀、抗辐射，在航空航天、深空探测等极端工况下维持稳定性能。
避免机械损伤：热膨胀失配是芯片翘曲、开裂乃至失效的主因，金刚石的匹配特性从根源上降低这一风险。
三、电绝缘保障信号完整性
本征绝缘特性：金刚石是优良电绝缘体，区别于铜、铝等金属散热材料，不会引发芯片漏电、短路问题。
高频性能优异：不会干扰高频电信号传输，适用于5G/6G通信、射频器件等对信号保真度要求极高的场景。
宽禁带优势：作为第四代半导体核心材料，金刚石具备超宽禁带，在高温、高频、高功率等极端应用场景前景广阔。
- 对比维度
- 金刚石
- 传统硅基/铜散热
- 热导率2000～2200W/(m·K)铜约400W/(m·K)，硅约150W/(m·K)
- 热膨胀系数1.0～1.7ppm/K与半导体匹配性较差
- 电绝缘性本征绝缘，无漏电风险金属材料需额外绝缘处理
- 耐温能力超600℃铜在高温下性能衰减明显
- 算力提升可提升15%～22%受散热瓶颈制约