#TheDownload# 【MIT新研究为超低功耗微芯片开辟了道路】
 
据MIT News 11月12日报道，麻省理工学院(MIT)和布鲁克海文国家实验室(Brookhaven National Laboratory)的研究人员已经证明，他们通过使用氢离子可以轻松快速地进出自旋电子器件的晶体结构，并改变其磁场方向。
 
随着硅微芯片接近基本的物理极限，在降低功耗的同时继续提高性能可能会有所限制， 一种很有前景的替代方法是利用自旋电子学。研究人员表示，通过使用氢离子可以轻松快速地控制材料的磁性的方法。由于氢离子很小，它们可以从自旋电子器件的晶体结构中进出，并且每次都能改变其磁场方向，却不会对材料本身造成损害。
 
这一种控制微芯片磁性的新方法可能会为超低功耗微芯片开辟新的道路，在不久的将来，人们或许可以使用比现有版本耗电更少，产热更少的内存、计算以及其他传感设备。(图片来源：MIT News)