【石墨烯打底 我国科学家制备出高速晶体管 】中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员通过半导体薄膜和石墨烯转移工艺，首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构的硅—石墨烯—锗晶体管，成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上，并将其截止频率由兆赫兹（MHz）提升至吉赫兹（GHz）领域，未来将有望在太赫兹（THz）领域的高速器件中应用。（科技日报）
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【石墨烯打底 我国科学家制备出高速晶体管 】中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员通过半导体薄膜和石墨烯转移工艺，首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构的硅—石墨烯—锗晶体管，成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上，并将其截止频率由兆赫兹（MHz）提升至吉赫兹（GHz）领域，未来将有望在太赫兹（THz）领域的高速器件中应用。（科技日报）