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文章推荐： 双异质结硅衬底上AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的理论和实验研究 【点击阅读原文 http://t.cn/A645Gj84 】
#Nanoscale Research Letters# #Schottky Barrier Diode#
摘要: 在GaN / AlGaN / GaN / Si-sub上对具有双异质结的AlGaN / GaN肖特基势垒二极管（SBD）进行了理论和实验研究。在GaN-top / AlGaN和AlGaN / GaN界面处分别形成了二维空穴气体（2DHG）和电子气（2DEG）。在断开状态下，2DEH和2DHG会部分消耗，然后完全消失。保留下的固定的正负极化电荷会形成极化结。因此可以在漂移区域中获得平电场和高击穿电压（BV）。阳极被嵌入也减小了导通电压（VON）。低损伤的ICP蚀刻工艺可改善肖特基接触，从而获得低漏电流和低VON。制成的SBD的BV为1109 V，阳极到阴极的距离（LAC）为11μm。该SBD具有良好的均匀性，0.68 V的低VON，室温下可以有高达1010 的开/关电流比，1.17mΩcm2的低导通电阻（RON，SP），和1051 MW / cm2 的高Baliga FOM。#电子科技大学# @电子科技大学