恭喜中芯国际N＋1流片成功！不过这个工艺性能应该相当于台积电的8nm，要n+2才是7nm。但和台积电距离拉到4年以内距离，很不错了。
如果不是美国人打击的话，中芯国际明年可以实现7nm，和台积电2018年精度一致，相当于落后3年，是在缩短时间距离的。
昨天芯动科技（INNOSILICON）官宣已完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过，这是过去数月工艺迭代和共同努力后获得的里程碑成果。
“N+1”是中芯国际对其第二代先进工艺的代号，其与现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。根据中芯国际联席CEO梁孟松表示，N＋1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能要低一些（业界标准是提升35%），所以中芯国际的N＋1工艺主要面向低功耗应用的。在手机上要N+2才让性能相当于台积电的7nm效果。
这个虽然不是中芯国际宣布的，但是业相当于确认了；流片成功，如果量产稳定那相当于工艺都可以了。恭喜！