【碳化硅关键环节即将放量：撑起产业50%高复合增速 性价比“奇点时刻”在望】随着新能源汽车、光伏等下游领域发展加速，第三代半导体碳化硅（SiC）需求也随之水涨船高。据最新报告预计，第三代功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，增长至2025年的47.1亿美元，年复合成长率可达48%。高增速背后的一大驱动力便是全球各大厂商的扩产动作。报告指出，科锐、高意集团、Qromis等SiC衬底厂商有望在2022下半年量产8英寸衬底。

值得注意的是，衬底正是SiC器件的关键环节，对产业放量具有决定性作用。浙商证券观察得出，目前国内外碳化硅厂商差距正在缩小，且整体差距小于传统硅基半导体。具体差距已从过去的10-15年(4英寸)，缩小至5-10年以内(6英寸)，预计向8英寸进军过程中，差距有望进一步缩小。本土厂商中，材料环节，除上述露笑科技、晶盛机电之外，天岳先进以绝缘型衬底为主，目前也开始向导电型衬底拓展；东尼电子碳化硅半导体材料项目尚处于研发打样阶段，目前已拿到下游优质外延片生产厂商的来料、成品等检测结果，反馈良好；器件部分，斯达半导、士兰微已推出SiCMOSFET功率器件和模块，华润微、扬杰科技、中车时代、闻泰科技等亦有布局；另外，三安光电则具备全产业整合生产能力(衬底/外延/器件/封测)。