据俄媒报道，俄罗斯莫斯科电子技术学院 (MIET)承接了贸工部开发制造芯片光刻机的项目，首期投资6.7亿卢布资金（约合5100万元人民币）。该光刻机号称要达到EUV级别，但技术原理将是基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机。据悉，X射线光刻机使用的是X射线，因此光刻分辨率要更高，且X射线光刻机不需要光掩模版就可以直写光刻。因此，俄媒甚至称这将是当前全球最先进的X射线光刻机，或许比ASML的EUV光刻机性能更先进。