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我校何刚教授团队在集成电路场效应显示器件研究领域再获进展

近期，我校材料科学与工程学院何刚教授团队在集成电路场效应显示器件研究领域再获进展，相关研究成果分别以"High-performance thin film transistors and inverters based on ALD-derived Al2O3-passivated CeO2 bilayer gate dielectric"和“Enhanced Electrical Performance and Low Frequency Noise of In2O3 Thin-Film Transistors Using Al2O3/CeGdOx Bilayer Gate Dielectrics”为题发表在国际微电子器件领域顶尖期刊《IEEE Transactions on Electron Devices》上。安徽大学材料科学与工程学院2020级博士研究生王雷妮为第一作者，何刚教授为论文的通讯作者，安徽大学为第一通讯单位。