【台积电公布 2nm 制程：预计 2025 年量产，功耗可降 30%】

台积电今日正式公布了未来 3 年的制程路线图，称将会在今年量产 3nm 制程架构，此外 3nm 将会拥有三个版本，至于 2nm 工艺则在 2025 年正式量产。

据台积电的说法，今年台积电将会拥有三种全新的工艺，包括 N6RF、N4P 以及 N3 工艺，其中 N3 工艺就是 3nm 制程，相比较 5nm 制程在效率以及性能上均有比较大的提升。而且 3nm 制程工艺将会有三个不同的版本，包括面向旗舰处理器打造的拥有最高性能的工艺，面向主流市场的高能耗比工艺以及拥有最低功耗的 3nm 工艺，这三种 3nm 工艺将会应用在不同的晶圆上，预计代工费用有比较大的区别。

而在 3nm 制程之后，就是熟悉的 2nm 制程，相比较 3nm 制程，2nm 制程能够拥有 10-15% 的性能提升，并且功耗将会降低 23-30%。晶体管密度倒是提升幅度不是很大，大约在 10% 左右。并且相比较现在的 FinFET，台积电 2nm 将会采用全新的晶体管，纳米片晶体管，从而满足 2nm 制程下的工艺需求。当然距离台积电所称的 2nm 工艺量产还有三年的时间，其中的变数还很大，到时候究竟发展到什么程度还很难说。