重大突破！晶盛机电成功研发出8英寸 N 型 SiC 晶体

据晶盛机电官方微信公众号，公司首颗8英寸 N 型 SiC 晶体成功出炉，晶坯厚度25mm，直径214mm。公司通过自主开发的设备、热场和工艺技术，成功解决了8英寸 SiC 晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了 SiC 器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸 SiC 衬底广泛应用打下基础。

碳化硅（ SiC ）器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。但“高硬度、高脆性、低断裂韧性”的碳化硅，对生产工艺有着极其行刻的要求，而大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的＂卡脖子＂技术。业内人士分析指出，碳化硅为代表的第三代半导体是支撑新能源汽车发展的关键技术之一，随着新能源、光伏等行业业的高速发展，过去两年，国内外的碳化硅厂商如雨后春笋般冒出。根据 Yole 的预测，2027年全球碳化硅（ SiC ）器件市场规模达到63亿美元，较2021年的复合增速为34%。