在三星 2022 年代工论坛上，该公司宣布了继续扩展其工艺技术的计划。今年早些时候，三星开始生产其 3nm 节点，是业内第一家完成这一壮举的代工厂。现在，三星已经将目光投向了下一代工艺技术，特别是 2nm 节点。

三星计划到 2025 年实现 2nm 生产。实现这一规模将需要三星基于环栅 (GAA) 的晶体管技术。除此之外，该公司预计到 2027 年达到 1.4nm 节点，并计划在同年将其先进节点产量提高两倍。

三星还推出了其第八代和第九代 V-NAND 产品以及第五代 DRAM 产品。该公司目前为 V-NAND 提供 512 Gb 三级单元 (TLC) 产品，但预计今年晚些时候会发布 1 TB TLC 版本。第五代 DRAM 产品将是 10nm (1b) 器件，将于 2023 年进入量产阶段。即将推出的其他 DRAM 解决方案包括 32 Gb DDR5 解决方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。

三星对其 V-NAND 有很大的计划，声称到 2030 年，它将实现 1000 层的 V-NAND。为了实现这一目标，三星正在从其当前的 TLC 架构过渡到四级单元 (QLC) 架构，以提高密度并启用更多层。三星还将在 DRAM 研发上投入更多资源，研究新的架构和材料，例如 High-K，以帮助将 DRAM 扩展到 10nm 以上。该公司打算进一步开发其他 DRAM 解决方案，例如内存处理 (PIM)。