信通院在测试毫米波。
看起来国内也要上毫米波天线了。

毫米波科普

和普通5G的C-Band（3.7-4.2GHz）相比。毫米波（24.25GHz-52.6GHz）上部署，速度比普通5G更彪悍。但更高频率的信号就意味着更大的馈线损耗。根据测算，传统4G手机射频前端的馈线损耗只有1dB不到，但是在毫米波频段线损在2-4dB。

因此，毫米波天线与射频前端进一步集成就成为大势所趋。在手机侧就体现为AiP（Antenna in Package）天线的诞生。所谓AiP天线是基于封装材料与工艺，将天线与芯片集成在封装内，实现系统级无线功能的技术。

FOWLP(Fan-out wafer level package)是AiP天线的主流技术工艺

WLP(晶圆级封装)可分为fan-in（标准型扇入式）及fan-out（扩散性扇出式）两种，其中fan-in是在晶圆未进行切片前对wafer进行封装，之后再进行切片分割，完成后的封装大小和芯片尺寸接近。

而fan-out则是基于晶圆重构技术，将芯片重新布局到一块人工晶圆上，然后按照与标准的WLP工艺类似的步骤进行封装，封装面积大于芯片面积。

传统的WLP封装多采用fan-in形态，应用于pin（引脚）数量较少的IC芯片，伴随着IC引脚数目的增加，对锡球间距的要求日趋严格，加上PCB排线对于IC封装后尺寸以及引脚位置的调整要求，因此衍生出fan-out。

FOWLP的具体实现，第一步需要完成晶圆的制备及切割，即将晶圆放入划片胶带中，切割成各个单元，与此同时准备洁净处理后的金属载板；第二步将芯片从晶圆拾取并排布在金属载板上；第三步以模塑料（molding compound）密封载板完成制模；第四步从载板上移走已经成型的重建芯片；第五步在重分布层（RDL）上配置I/O连接；第六步在I/O连接口形成铜凸块；最后对已成型的塑封体进行切割。

19年长电在CSTIC发布了世界首个超宽频双极化的5G毫米波AiP天线，该产品采用了基于FOWLP封装SmartAiP工艺技术。

该工艺能够帮助客户实现24GHz-43GHz超宽频信号收发、达到12.5dB的超高天线增益、以及适合智能手机终端对超薄厚度要求等优势，并且有进一步实现射频前端模组集成封装的能力。

不过目测美版iPhone是用的环旭做的AiP封装毫米波天线。