【中科院微电子所在CAA新结构的3D DRAM研究取得进展】

基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望突破1T1C-DRAM的微缩瓶颈。针对平面结构IGZO-DRAM的密度问题，中科院微电子所微电子重点实验室刘明院士团队在垂直环形沟道结构IGZO FET 的基础上，研究第二层器件堆叠前层间介质层工艺的影响，验证了CAA IGZO FET在2T0C DARM应用中的可靠性。http://t.cn/A69Z9I35