根据CN 108219968A专利文件中提到的方法，光刻胶组合物中的重要成分包括聚合物、光引发剂、抗蚀剂等。

聚合物的选用取决于所需的光刻胶特性，例如溶解度、耐蚀性、分辨率等。

在这个专利文件中提到了两种聚合物作为示例：PMMA（多甲基丙烯酸甲酯）和PS（聚苯乙烯）。

光引发剂的作用是吸收紫外线并引发聚合反应，常见的光引发剂包括二甲苯基伊斯丙基芳香羧酸酯（TPO）和苯基伊斯丙基二（甲基苯基）氧化锡（PIBO）。

抗蚀剂可以提高光刻胶的耐蚀性，常见的抗蚀剂有2-甲基-2-丁烯酸（MBA）和4-吡啶甲酸（4-PCA）等。

至于光刻胶的制备方法，在这个专利文件中给出了一种方法。

首先是准备原料，包括聚合物、光引发剂、抗蚀剂、溶剂等。

然后将这些原料混合，进行搅拌反应，直至混合物变得均匀。

接下来进行过滤、脱溶剂等步骤，最后得到的就是光刻胶组合物。

在半导体和其他微电子领域，光刻胶常用于制造光学掩膜，用于定义集成电路中的最小特征，从而使电子器件能够更加精确地操作。