#智能计算创新人物# 【《麻省理工科技评论》中国“2023年智能计算创新人物”征集进行中】

在科技的浪潮中，存算一体技术崭露头角。这项技术，融汇存储与计算，不仅是一个简单的结合，更是对传统计算范式的一次颠覆性挑战。

顾名思义，#存算一体技术# 即将存储与计算融为一体，彻底改变了传统计算模式。

早年，存算一体概念还仅仅是一种前瞻性的幻想，而今却在实际应用中展现出了巨大的潜能。在众多国际顶尖学府的实验室，科研学者通过深入的研究和验证，证实了存算一体技术的惊人威力。不仅计算速度得以飞跃，更在能源效率上取得了长足进步。这些实验成果，无疑为存算一体的科学性和可行性提供了有力支持，也为智能计算的未来奠定了坚实基础。

存算一体技术的发展，正将我们带入一个科技的交汇点。这不仅仅是计算模式的再塑，更是智能计算的一场巨变。它推翻了传统的分离计算思维，引领我们进入高效、灵活的新时代。存算一体并不仅限于硬件的突破，更是在多功能、多维度的智能计算系统中掀起一场变革风暴。

然而，存算一体技术的前进道路上仍存在诸多挑战。其发展牵涉到硬件、软件、算法等多个领域，要实现最大潜力需要不同领域的跨界合作。同时，在产业链的构建方面，存算一体技术尚未达到完全成熟，其所需的技术支撑可能尚未完全到位，这也导致了应用开发可能存在匹配问题。预计，存算一体技术可能需要 5-10 年的时间才能真正投入广泛使用。

这些挑战同样也为存算一体的创新带来了壁垒，催生了各领域的合作和共创。正是在攻克挑战的过程中，存算一体技术将逐步迈向更为成熟和全面的发展。

目前，存算一体技术的发展受到各个层面的关注和投入，从#芯片# 研发企业到科研机构，不同的参与者都在寻求切入点，以推动这一领域的进步。存算一体芯片研发企业的切入点主要集中在成熟的介质上，如 SRAM、Nor-Flash 和 DRAM 等。这些介质在过去的计算领域中已经积累了丰富的经验和技术，因此在存算一体技术中也能够为其提供一定的支持和基础。

一些科研机构选择了跳出传统的范畴，将研究焦点聚集在新型介质上，如忆阻器（RRAM）等。这种探索性的切入点可能为存算一体技术的未来发展开辟全新道路，从而推动其在计算领域的广泛应用。忆阻器作为一种新型器件，在长期的电子领域研究中备受关注，其独特的特性与生物神经突触极为相似，因此被冠以“电子突触器件”的美誉。这一新兴器件在电子学领域引发了广泛的研究兴趣，其被赋予了许多前所未有的潜力。

戳链接查看详情：http://t.cn/A6OvKLjw