#华为Mate60# 江湖传言，HW现在已经进化出非常厉害的IDM，非美线的国产率在82%以上，N+2工艺跑通5-7nm制程量产。实际上，DUV光刻机打到5-7nm完全没问题。原因在于晶圆代工厂现在的工艺制程完全与物理线宽没有关系，28nm以下的制程已经是个等效线宽概念，不再代表物理线宽，代表的是同样面积内晶体管数量。比如，14nm的实际物理线宽20nm，台积电吹上天的1.8nm也是等效线宽，实际物理线宽12nm。14nm以下工艺，晶圆厂引进FinFET鳍状工艺，向立体空间要容量来增加晶体管密度，晶圆厂为了公关宣传会故意混淆概念，用Fin鳍宽取代沟道宽度来忽悠大众，比如台积电3nm工艺的鳍宽6nm。反正一句话，天朝本土晶圆厂已经突破5-7nm制程，再拿下国产DUV就可以大面积推广普及。。。。。。。。。。。。