爆个猛料：下一代2nm或再往下的制程，成本会高出一大截...

ASML的High NA EUV光刻机，曝光尺寸缩小至16.5*25.4（EUV为26*33），大面积的die一次性做不出来，需要做一半再做另一半

效率、良率都会极限低，如果ASML不改这个问题，搭载旗舰SoC的手机价格，未来会高出一大截[思考] ​