【中国半导体制造大突破！】
华虹宏力“沟槽栅半导体器件及其制造方法”专利获授权。
集微网消息，天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“沟槽栅半导体器件及其制造方法”专利获授权，授权公告日为10月20日，授权公告号为CN110739347B。
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽栅半导体器件，沟槽栅包括形成于半导体衬底中沟槽、形成于所述沟槽的底部表面和侧面的栅氧化层；栅氧化层由第一氧化层和第二氧化层叠加而成；第一氧化层为炉管热氧化层；第二氧化层为PECVD氧化层；栅氧化层具有通过RTA处理的热致密结构；利用沟槽中形成的PECVD氧化层具有底部表面的厚度大于侧面厚度的特性，使栅氧化层具有位于沟槽的底部表面的厚度大于位于沟槽的侧面的厚度的结构。本发明还公开了一种沟槽栅半导体器件的制造方法。
据悉，本发明能提高器件的BVGSS，同时不影响器件的阈值电压，工艺简单且成本低。