【SK海力士HBM4将采用全新设计：通过3D堆叠整合在逻辑芯片上】

据韩媒报道，韩国內存芯片大厂SK海力士正在开发新一代的高带宽內存（HBM4），并计划将其与逻辑芯片堆叠在一起，这也将是业界首创。SK海力士已与英伟达等半导体公司针对该项目进行合作，先进封装技术有望委托台积电，作为首选代工厂。报道称，SK海力士正在招募CPU、GPU等逻辑芯片的设计人员，目标是将未来的HBM4以3D堆叠的形式堆叠在英伟达、AMD等公司的逻辑芯片上，预计该HBM4内存堆栈将采用2048位接口。目前的HBM是堆叠放置在GPU旁边，通过两个芯片下面的中介层连接，不过SK海力士新目标是完全消除中介层，将HBM4通过3D堆叠直接整合在逻辑芯片上。（芯智讯）