【“浸润式光刻之父”林本坚：限制台积电对中国晶圆代工厂有利】这个是有利还是有害，真的不好判断，只有台积电、美国自己清楚[doge]。总得来讲，美国的自杀行为，应该是大大促进了中国半导体工业自主化步伐。台积电一味投好美帝，加快投资美国，大概率要被坑[允悲]。
浸没式光刻创新的台积电前研发副总裁林本坚告诉digitimes，他已经预见到2022年有晶圆代工厂可以利用DUV设备实现7纳米，就像台积电一样。不过，他表示，用DUV设备制作5纳米芯片至少需要四次构图，这一过程耗时且成本高，而且由于自对准困难，影响良率和速度。

华为在其旗舰智能手机中采用的麒麟9000s的成就引起了全球关注，展示了中国对半导体自给自足的强烈雄心，并暗示未来有望向尖端技术迈进。

林本坚表示，28纳米平台不涉及沉浸式DUV设备上的多重图案化，使其成为最具成本效益的芯片制造工艺。然而，他表示，对于 28 纳米及以下工艺，需要两次、三次或多次图案化，这使得它们既耗时又昂贵。例如，能够以每小时250片晶圆速度进行单次曝光的设备，可以以一半的速度进行两次曝光，等等。

另一个挑战是多次曝光中精确对准的必要性，即将第二次和后续曝光与第一次曝光对准，因为轻微的未对准可能会影响速度和产量。林本坚表示，从理论上讲，沉浸式 DUV 技术最多可以实现六重图案，但这只是时间、成本以及人们愿意接受的不断增加的错位风险的问题，并补充说，即使是 EUV 设备也有局限性。

在芯片禁令之前，美国并没有限制台积电为中国客户代工。中国本土代工企业在每一代工艺上都难以与台积电竞争，因产量较低而不断失败，从而阻碍了它们的进步。然而，芯片禁令之后，中国的代工厂可以替代台积电为中国客户生产芯片，并且随着产量的扩大，这些代工厂可以加快他们的学习曲线。

然而，考虑到潜在的过高成本，持续减小晶体管尺寸并不是最佳选择。相反，人们显著转向投资替代方法，以提高计算速度、降低功耗和最小化尺寸，而不是仅仅关注不断的小型化。先进封装就是其中一种方法，在这种公开竞争中，重点在于成为第一个创新和获得专利的人。

林本坚说，半导体设备不仅涉及光刻，还涉及许多工序。对于任何一个国家来说，拥有所有必要的能力都是一项挑战。美国在半导体设备和IC设计方面处于全球领先地位，应该利用这一优势来保持领先地位，而不是支持可能缺乏比较优势的产业。

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