#先进封装#韩国存储巨头明年计划推这一先进封装方案

甬矽电子 同兴达

据行业媒体报道，SK海力士计划明年发布“2.5D fan-out”集成存储芯片封装方案，实现两个芯片之间的端到端连接。这种封装方案是将两个DRAM芯片水平并排放置，然后将它们组合成一个芯片。这种方案的优势是由于芯片下方没有添加基板，可以让成品微电路更薄。

先进封装涵盖多种技术，其中晶圆级封装分为扇入型(Fan-in)和扇出型(Fan-out)。扇出型封装是扇入型的改良版本，制程与扇入型基本一致，不同之处在于其并不是在原始硅片上做，而是将芯片切割下来，然后重组晶圆，这样做的目的是制造扇出区的空间。而2.5D/3D Fan-out由扇出型晶圆级封装技术发展而来，其I/O数多达数千个，是目前最先进的封装技术，广泛应用于移动设备，特别是智能手机。市场增速上看，方正证券研报认为，在各封装形式中，2.5D/3D封装的增速最快，2021-2027年CAGR达14.34%，增量主要由AI、HPC、HBM等应用驱动。

上市公司中，
甬矽电子已经通过实施Bumping项目掌握RDL及凸点加工能力，正在积极布局Fan-out扇出式封装及2.5D/3D封装相关工艺。
同兴达子公司昆山同兴达储备了掌握chiplet相关技术的核心团队，可配合客户的需求开展相关业务。