【来自投稿】林兰英院士（1918 — 2003年），福建莆田人，科学家，中国半导体材料之母、中国太空材料之母，我国半导体材料科学的奠基人与开拓者。林兰英1940年毕业于福建协和大学（福建师范大学前身）物理系；1955年获美国宾夕法尼亚大学博士学位；原中国科学院院士、中国科协副主席。
图3为林兰英博士毕业照，其他图片为林兰英工作图以及与家人同事的留影
1918年2月7日，林兰英诞生在福建莆田林润故居里，家族是被称为“九牧林家”“妈祖后人”的林氏。
林兰英的父亲林剑华先在上海大学文学系读书，之后在南昌《国民日报》当编辑。1936年，林兰英高中毕业，本想升学。但陈腐观念影响下的父母却认为女儿不必再上学，应该回家学纺织，面对父亲的强硬，林兰英选择了最极端的抗议方式——绝食。倔强的她把自己反锁在屋里，近三天不吃不喝，终于获得了学习机会。18岁那年，林兰英以全县第一的成绩进入了福建协和大学物理系。 林兰英读书认真刻苦，求学路上也经历了很多磨难，但她都克服坚持了下来，大学毕业后，林兰英留校任教并获得出国留学机会。
留学期间，林兰英的导师非常赏识她，有感于人才难得，要推荐她去芝加哥大学读数学博士学位。但经过深思熟虑后，林兰英认为，当时贫穷落后的祖国，最为需要、最为适用的，还是物理。对祖国饱含深情的林兰英，不应是想学什么，而应是该学什么，一切服从祖国建设事业的迫切需要。因此林兰英决定：谢绝教授的好意，中断在数学王国里的遨游，于1949年秋，前往宾大研究院，致力于固体物理学的研究。适逢美国贝尔实验室的物理学家运用固体物理理论解释了半导体现象，并与冶金技术结合制成了世界上第一块半导体锗单晶，轰动了全世界。正在学习固体物理的林兰英，迅速发现这项研究对国家战略的巨大意义，开始了对半导体材料的研究。
1955年夏，林兰英成为宾夕法尼亚大学建校115年来的第一位中国博士，也是该校有史以来的第一位女博士。
博士毕业后，林兰英冲破重重阻挠，毅然投身到祖国的怀抱。虽然她的积蓄全被美国当局扣押，回国后已经身无分文，但她还是毅然将自己冒险带回来的“药”——价值20多万元的500克锗单晶和100克硅单晶，无偿地赠给了中国科学院，成了我国半导体科学工作者求之不得的无价之宝。在应用物理所，林兰英第一个目标就是：拉制出属于中国的第一根硅单晶！当时新中国百废待兴，制取硅单晶最需要的保护气——氩气更是稀缺，这种气体国内不能生产，又被列在国外的禁运名单上。最终，林兰英想出了抽真空的方法，并且把她在美国发明的籽晶保护罩运用到了制造过程中。1958年，在她的努力下，拉制出了中国第一根硅单晶。1961年，她又把目光投向了硅外延材料的研制。这是一种具有两层硅单晶结构的材料，具有非常重要的战略意义。在硅单晶的基础上，她又一次成功了。这种硅外延材料制作的一些新型硅器件，使得军用雷达、电台、遥感测量仪器等更为精确可靠。值得一提的是，这种材料在第一颗原子弹的制造过程中发挥了不可忽视的作用。林兰英也因此成为了为“两弹一星”作出重要贡献的科学家之一。
终身未婚的林兰英，生活的轨迹基本就是在家和单位之间，全身心投入到了我国的半导体事业当中。先后负责研制出中国第一根单晶硅、第一台高压单晶炉、第一片单异质结 SOI 外延材料、第一根 GAP 半晶、第一片双异质结 SOI 外延材料。因此四次获中科院科技进步奖一等奖，两次获国家科技进步二、三等奖，1996年获何梁何利科技进步奖，1998年获霍英东成就奖。她的工作极大推进了我国半导体材料的研究高度，为微电子和光电子学的发展奠定了基础，为我国太空事业做出巨大贡献。她还培养了包括吴德馨、王占元两位院士在内的大批优秀科研工作者。
2003年3月4日下午1时36分，林兰英院士与世长辞，享年85岁。