【完全自主产权 中国第四代半导体新突破！6英寸氧化镓单晶实现产业化】杭州镓仁半导体宣布，联合浙江大学等，采用自主开创的铸造法。成功制备高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得6英寸氧化镓衬底片。氧化镓是目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一，被称为第四代半导体材料。在轨道交通、新能源汽车、5G移动通信、国防军工等领域均具有广阔应用前景。该铸造法还拥有完全自主知识产权，为突破国外技术垄断，实现国产化替代奠定基础。