#存储芯片#SK海力士新建DRAM芯片生产基地 HBM市场有望快速增长

$东芯股份(sh688110)$ $江波龙(sz301308)$

韩国存储芯片制造商SK海力士周三表示，计划投资5.3万亿韩元(约合38.6亿美元)在韩国建设一家新的动态随机存取存储器(DRAM)芯片生产基地。新生产基地旨在增加DRAM产能，重点是HBM，预计HBM市场年增长率将超过60%。在服务器大容量芯片产品的带动下，通用DRAM的需求稳步增长。

广发证券指出，HBM是一种新型内存，得益于堆叠结构和垂直TSV互连，具有更高的传输带宽、更高的存储密度、更低的功耗以及更小的尺寸，高带宽优势对大模型训练和推理的效率提升至关重要。近年来，大部分高端数据中心GPU和ASIC均使用HBM作为内存方案，GDDR在推理等场景中具备性价比优势。未来，HBM技术持续向更高带宽、更大容量发展，12Hi-16Hi HBM4有望2026年进入量产。

$东芯股份(sh688110)$是国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM产品的存储芯片Fabless公司;

$江波龙(sz301308)$拥有行业类存储FORESEE和国际高端消费类Lexar两大存储品牌，多项存储产品市场份额领先。