#类脑计算# 【A*STAR团队实现单个斯格明子的全电读取和调控，为类脑计算带来机遇】

在#自旋电子学# 的研究中，对于磁性隧道结（MTJ，magnetic tunnel junction）研究，有效推动了现代#半导体# 非易失存储器件的发展，比如磁硬盘及磁性随机存储器。

近年来，为进一步实现磁性隧道结的功耗降低和扩展应用，一个被认可的策略是利用自旋轨道力矩效应，实现结构磁性的调控。

除此之外，另一个策略是探索使用新的磁性材料和机制，例如使用手性磁性斯格明子（SK，skyrmions）结构。

磁性斯格明子，是在磁性多层薄膜中形成的纳米级自旋纹理。其所存在的拓扑结构，会导致独特的动态特性。

此前研究表明：可以通过利用电学手段，来调控斯格明子结构的移动、产生及消除。

然而，利用磁性隧道结器件实现单个斯格明子结构的全电读取和调控，一直是一个待解之题。

而实现室温可读可控的斯格明子-磁性隧道结器件，既能进一步推进磁性随机存储器的发展，将斯格明子-磁性隧道结与斯格明子纳米线器件加以结合亦将为非布尔逻辑和非常规计算的发展奠定基石。

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