ASML公司在世界技术论坛画了个大饼：0.75 NA孔径的EUV光刻机，单次曝光从16nm缩到10nm，将实现一次就曝光2DFET，节省了曝光成本。如果是放在以前，2DFET需要SAQP，新EUV光刻机（新大饼）可以显著降低制造的成本。

ASML公司在世界技术论坛画了个大饼：0.75 NA孔径的EUV光刻机，单次曝光从16nm缩到10nm，将实现一次就曝光2DFET，节省了曝光成本。

如果是放在以前，2DFET需要SAQP，新EUV光刻机（新大饼）可以显著降低制造的成本。