【旭化成氮化铝半导体基板材料使用面积增至4.5倍】面向新一代功率半导体的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的研发取得进展，但在化合物半导体中，氮化铝耐高电压的指标最高，因此电力损耗最小。旭化成力争到2027年作为基板实现实用化…… http://t.cn/A6QzuctP ​