#芯片##碳化硅功率器件#新能源车+光伏发电+智能电网推动该产品市场迅速增长

时代电气 新洁能 江丰电子

行业媒体报道，6月18日，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构封顶。该基地是武汉新城诞生的第一个项目，主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。

碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。TrendForce集邦咨询最新《2024全球SiCPowerDevice市场分析报告》显示，作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiC Power Device市场规模有望达到91.7亿美金。

上市公司中，
时代电气在功率半导体领域，公司建有6英寸双极器件、 8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。
新洁能已开发完成 1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列产品，新开发650V SiC MOSFET工艺平台，用于新能源汽车 OBC、光伏储能、工业及自动化等行业，相关产品已通过客户验证。
江丰电子控股子公司宁波江丰同芯半导体材料有限公司生产的第三代半导体核心材料覆铜陶瓷基板现已实现量产。碳化硅外延片产品已经在客户端认证。