来自美国加州大学圣巴巴拉分校的Daniel J. Blumenthal等人在Light: Science & Applications上发表论文，开发了一种无需退火、超低损耗的氮化硅制造工艺，氮化物芯层和氧化物包层的无退火损耗创历史新低。研究团队在最高温度为250℃的条件下，采用同一种基于氘化硅烷的制造流程生产氮化物和氧化物，覆盖了从80nm到800nm 的氮化物厚度范围，且无需采用应力释放技术或化学机械抛光技术。http://t.cn/A6Q1Hkuh