英飞凌宣布成功开发出全球首个300毫米功率氮化镓(GaN) 晶圆技术,标志着功率半导体领域的重大变革。
作为全球首个掌握此技术并能够在现有的300毫米硅制造线上实现大规模生产的公司,英飞凌不仅加速了GaN市场的快速发展,还将凭借其强大的制造优势,塑造未来GaN技术的行业格局。
发布了头条文章:《英飞凌推出全球首个300毫米功率氮化镓 (GaN)》 http://t.cn/A6RsAZBp
发布于 上海
英飞凌宣布成功开发出全球首个300毫米功率氮化镓(GaN) 晶圆技术,标志着功率半导体领域的重大变革。
作为全球首个掌握此技术并能够在现有的300毫米硅制造线上实现大规模生产的公司,英飞凌不仅加速了GaN市场的快速发展,还将凭借其强大的制造优势,塑造未来GaN技术的行业格局。
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