英飞凌发布首款 300 毫米功率 GaN 晶圆——全球首款 300 毫米功率氮化镓 （GaN） 晶圆技术

如图，IEEE上发布的——IEEE电气电子工程师学会是一个建立于1963年1月1日的国际性电子技术与电子工程师协会，亦是世界上最大的专业技术组织之一

[星星]然鹅，外媒他不知道的是，3年前，中国苏州有个不知名小厂已经量产了

但他不说。

这个不知名小厂展示了一系列高质量的 300 毫米外延片，具有良好的厚度均匀性和低晶圆弯曲度，适用于 200V、650V 和 1200V 电源应用，为使用更复杂的 300 毫米 CMOS 兼容生产线进行器件加工铺平了道路。

继 2014 年成功推出商用 200 毫米硅基氮化镓 外延片后，3年前的小破厂已成功将其 AlGaN/GaN HEMT 外延工艺转移到 300 毫米硅衬底上，同时保持了出色的厚度均匀性和 50μm 以内的低晶圆弯曲度。
垂直电压击穿测量表明，该晶圆适用于 200V、650V 和 1200V 电源应用

小破厂为解决晶圆开裂/弓形和高结晶缺陷等关键问题而采用的 300mm 硅基氮化镓 HEMT 外延层结构如上图 2（a） 所示。
生长从 AlN 成核层开始，然后是应力消除堆栈、GaN 通道、AlGaN 势垒和 GaN 帽。如上图 2（b） 所示，较窄的 XRD AlN（002） 峰和 FWHM 的良好均匀性表明整个 300mm 晶圆的晶体质量很高。

[星星]他不说，我也不说。