凯世通表示，此次获奖项目所研发的低能大束流离子注入机系列设备是制造逻辑芯片、DRAM存储芯片、功率器件、CIS芯片的核心设备，设备性能与稳定性表现卓越，实现了集成电路重大装备产业化突破。

　　针对离子注入实际生产过程中亟需突破的关键工程技术问题，凯世通创新构建了包括基础研究和应用技术在内的“通用平台+关键技术模块+系统集成+应用技术”完整技术体系，形成了一系列高价值的自主知识产权成果，包括成功解决了芯片制造中低能量条件下的超大剂量注入问题，降低了制造成本；完成了颗粒污染源头控制技术，大幅提高了良率，取得重要工艺突破等。

　　目前，凯世通已打造出多款离子注入机标杆项目，在国内主流12英寸晶圆厂实现了产业化并收获批量重复订单。随着产业化进程加快，凯世通将持续提升产能，增强服务客户能力。