美国判中国氮化镓功率芯片制造商英诺赛科侵犯专利

美国国际贸易委员会 （ITC） 裁定，中国硅基氮化镓 （GaN-on-Si） 功率芯片制造商英诺赛科技侵犯了美国竞争对手 Efficient Power Conversion Corp （EPC） 的专利

根据 ITC 周四发布的最终裁决，Innoscience 被发现侵犯了 EPC 持有的其中一项受质疑的专利。该机构发布了一项有限排除令，禁止进口某些侵犯 EPC 专利的 Innoscience 芯片。

Innoscience 英诺赛科表示，它不同意 ITC 的决定，并将对该裁决提出上诉。

Innoscience 在周五的一份声明中表示，诉讼“不会对 Innoscience 的客户产生影响”。它声称，ITC 的决定澄清了一项有争议的设计，并补充说该公司已经解决了这个问题，并将很快发布新产品。