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韩国媒体报导，中国存储器厂商中国长鑫存储（CXMT）正在加速开发下一代 DRAM。该公司并没有按照原计划为首款商用的 DDR5 产品采用 17 奈米制程技术，而是采用了更先进的 16 奈米制程技术。此外，下一代技术 15 奈米制程技术也在现有制程基础上进行开发当中，目标是在 2025 年内开发出该技术，并最快在 2026 年下半年就能达成商业化的目标。

TechInsights 的资料显示，长鑫存储的16Gb DDR5芯片尺寸为 66.99mm²，位元密度为0.239Gb/mm²。此外，长鑫存储 DDR5 的电路线宽估计为 16 奈米。长鑫存储将此产品定名为 「G4」，与上一代 G3（18 奈米）相比，DRAM 单元尺寸缩小了 20%。相较之下，韩国三星、SK 海力士等公司在 2016 年发表的 16 奈米 DRAM 制程技术 ，则将其定名为「1y」制程技术。

CXMT之前主要生产的产品是采用 17~18 奈米制程的 DDR4、LPDDR4X 等较成熟产品。但是 2024 年 11 月，该公司首次在中国发表了 LPDDR5 产品。此外，在 2025 年稍早成功达成了 DDR5 商业化的目标。先前，有消息指出长鑫存储对于此次 DDR5 所采用的 G4 制程非常有信心。如今事实证明，下一代制程开发的速度比原计划的要快。

TechInsights 表示，长鑫存储一直在同时开发 17 奈米和 16 奈米的制程技术，在开发出 17 奈米制程技术之后，又紧接着完成 16 奈米制程技术的的开发。

另外，长鑫存储的 G5 原计划发展 15 奈米制程技术。但受限于漂亮国加重先进半导体制造设备的出口限制，在无法引进 EUV 先进制造设备情况下只能暂缓。不过，随着技术开发的成熟，预计利用现有设备长鑫存储也足以开发和量产下一代制程，因为即便是美光的 13 奈米 DRAM 制程技术也没有采用使用 EUV。

TechInsights 强调，长鑫存储的 G5 制程技术预计在 2025 年年底开发完成，2026 年一旦完成样品，预计下半年就能看到 G5 制程技术的产品上市。不过，一开始的良率可能不会太好。而且，即便技术仍持续开发中，但长鑫存储仍从在挑战。
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