【东吴机械】半导体设备：先进HBM/NAND有望全面导入混合键合，国产替代进行时-0301

HBM3普遍使用热压键合技术，韩系大厂预计从HBM4开始导入混合键合。HBM3中，美光和三星均采用非导电膜热压键合，海力士则采用了MR-MUF（批量回流焊和模塑填充）技术。由于HBM4+对堆叠层高、接触点、散热等要求更高，韩系三巨头预计从HBM4开始用混合键合全面替代其他键合方式。

HBM外，三星的第10代V10NAND将采用中国长江存储的专利技术，尤其是其混合键合技术。长江存储自2016年起开始研发混合键合技术，并于2018年推出Xtacking技术，此后持续进行技术迭代与升级。2025年，长江存储已授权三星利用其Xtacking架构专利来制造V10NAND（420-430层NAND）。

混合键合设备仍由外资主导，看好国产设备商加速国产替代。目前，混合键合设备的主要供应商包括奥地利的EVG、德国的SUSS以及荷兰的BESI等公司。我国拓荆科技、迈为股份、百傲化学（芯慧联）等正在积极布局混合键合设备。拓荆科技推出了两款晶圆对晶圆键合产品（Dione300）和芯片对晶圆键合表面预处理产品（Pollux）。迈为股份则发布了对位精度小于100nm的混合键合设备，并提供临时键合和激光解键合设备。百傲化学（芯慧联）2台D2W和W2W混合键合设备已经出货。

投资建议：重点推荐【拓荆科技】【迈为股份】，建议关注百傲化学（芯慧联）。