最新消息：正在研发中的俄罗斯国产28nm极紫外EUV光刻机采用氙气光源波长11.2纳米RU/BE反射镜，反射率72%，好于ASML研发的EUV光刻机所使用的13.5nm锡光源（污染大）Mo/Si反射镜的反射效率。俄罗斯国产28nm光刻机的实验型α样机将在2028年问世。
发布于 上海