印度首个3纳米芯片设计中心落成并正式投入使用

《印度斯坦先驱报》5月13日报道，印首个3纳米芯片设计中心落成并正式投入使用，印电子信息技术部部长阿什维尼·维什瑙（Ashwini Vaishnaw）出席揭幕仪式。5月13日，日企瑞萨电子（Renesas）正式启动该公司位于诺伊达、班加罗尔的两座尖端3纳米芯片设计中心。

在揭幕式上，维什瑙表示，3纳米工艺的采用标志着“印在半导体技术领域取得重大突破”“印跻身全球半导体创新领导者之列”。瑞萨首席执行官兼董事总经理柴田英寿（Hidetoshi Shibata）高度评价印在全球半导体生态系统中日益增长的作用，并称印是该公司的战略基石。

他表示：“印人才优势，加上印日共同的战略利益，将有助于重塑全球半导体生命周期”，他重申瑞萨电子决心扩大其在印半导体产能。据悉，作为莫迪政府半导体战略的重要组成部分，启用3纳米芯片设计中心标志着印成功完成“设计开发”版块计划。#南亚[超话]##海外新鲜事##涨姿势#