【英特尔高管：未来芯片制造将减少对 ASML高 NA EUV 光刻机的依赖，转而提升刻蚀技术的核心地位】这个俺不太专业，总体感觉这个跟华为思路有点像，有没有可能是英特尔受华为启发了？华为有“3D堆叠”的芯片专利，英特尔是“垂直堆叠达成”，原理差不多吧[偷笑]。

IT之家消息，据投资研究平台 Tegus 披露的讨论内容，一位匿名英特尔总监表示，未来晶体管设计将降低对先进光刻设备的依赖，转而提升刻蚀技术的核心地位。
他认为，随着全环绕栅极场效应晶体管（IT之家注：即 GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）等新型结构的发展，高端芯片制造对光刻环节的总体需求将会减弱。

这位英特尔总监强调，GAAFET 与 CFET 等三维晶体管结构要求“从各个方向包裹栅极”，使得横向去除多余材料成为关键，“制造商将更专注于通过刻蚀工艺去除材料，而非延长晶圆在光刻机中的处理时间来缩小特征尺寸。”

英特尔总监表示，这种三维结构使芯片制造“降低对最小特征尺寸的依赖，因为不仅能在平面上实现高密度，还能通过垂直堆叠达成”，因此高数值孔径光刻机在先进制程中的重要性“将低于当前 EUV 设备在 7nm 及更先进技术节点中的关键地位”。