SK海力士：HBM4内存价格将上涨40%，且在相当长的时间内供应紧张。

这主要有三点原因：

首先，一个简单的事实是，HBM需要前端晶圆产能。但考虑到净晶圆增量有限，仅为10-20%，且主要来自工艺迁移，DRAM公司需要建造一座新工厂。
对于1d纳米或0x纳米级别的工厂来说，成本将极其高昂，且建设周期长达三年。

其次，为了提升速度并增加HBM核心晶圆中的通孔数量，晶圆尺寸必须增大。

第三，随着HBM立方体中层的增加，产生的热量呈指数级上升。在HBM4中，I/O数量应翻倍至2,048，而在HBM5中可能达到4,096，这导致包括虚孔在内的TSV数量也随之增加。这意味着在下一代HBM中，产量损失似乎是不可避免的。

·HBM是AI计算工作负载中的瓶颈。只要当前的架构保持不变(即内存与处理器分离)，那么另一个令人难以置信的问题是，HBM应该继续作为瓶颈存在。换句话说，系统性能的提高有赖于HBM的带宽。

解决这一问题需要新的方案。
我们认为，一项带有“照付不议”条款的年度供应合同，不足以吸引内存公司积极投资，因为获得新供应品的周期非常长。
一种替代方案是达成多年的供应协议，并分担部分投资负担。无论如何，提高透明度并减少周期性波动，应会对内存行业的估值产生积极影响。

HBM价格持续上涨。与市场的早期预期相反，HBM价格持续攀升。我们预计HBM4的价格将上涨约40%，以弥补芯片损失(更大的芯片尺寸=每晶圆的输出减少)以及可能的产量损失。特别是，由于基础芯片外包，海力士将不得不与台积电分享HBM4的价值。这样一来，我们可能会看到HBM4的利润占销售额的比例下降，尽管由于规模的扩大，HBM本应带来更高的利润。
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