【MIT让硅芯片“外挂”氮化镓，未来手机将实现性能、续航双跃升】

在这个对高效、高性能#电子设备# 需求空前高涨的时代，先进半导体材料的研发和集成变得至关重要。

作为全球第二大#半导体材料# （仅次于硅），氮化镓（GaN）凭借其独特性能已成为照明、雷达系统和功率电子器件的理想选择。尽管该材料已应用数十年，但若要充分发挥其性能优势，必须实现 GaN 晶体管与硅基数字芯片（即 CMOS 芯片）的高效互联。

然而，现有集成方案存在明显局限：焊接连接方案虽能实现 GaN 晶体管与 CMOS 芯片的键合，但会制约晶体管微型化进程。晶体管尺寸越小，其工作频率才能越高；另一种晶圆级集成方案将整片 GaN 晶圆堆叠于硅晶圆之上，但因材料利用率极低导致成本激增。

近期，由#麻省理工学院# （MIT）领衔的研究团队开发出一种新型制造工艺，能以低成本、可扩展的方式将高性能 GaN 晶体管集成到标准硅基 CMOS 芯片上，且完全兼容现有半导体代工厂产线。这项研究最近在 IEEE 射频集成电路研讨会上进行了展示。

戳链接查看详情：http://t.cn/A6DboZSy