三星电子批准量产第六代 DRAM“D1c”……HBM4 竞争加剧

三星电子成功开发出一款采用其10纳米级第六代（D1c）工艺技术的DRAM芯片。D1c芯片技术将用于高带宽存储器（HBM）芯片的生产工艺，预计将加速HBM4（第六代HBM）的开发，并引发全球DRAM市场的激烈竞争。

据业内知情人士30日透露，三星电子设备解决方案（DS）部门内存业务部门成功开发出第六代DRAM内存D1c，并于今天下午完成了内部生产准备批准（PRA）。PRA标志着产品在生产过程中符合内部标准，并已获准量产。

D1c是DRAM的最新类型，属于亚10nm级超精细工艺（约12-13nm或更小），并按电路线宽细分为1x、1y、1z、1a、1b、1c等代。

此前，竞争对手SK海力士于去年8月在全球率先成功开发D1c，在技术竞赛中占据领先地位。然而，三星在今年下半年之前确认了自身的技术开发，为全球DRAM全面竞争奠定了基础。

从 D1c 开始，极紫外 (EUV) 光刻技术的应用可以扩展到多层，从而提高图案精度并实现工艺的全面扩展。

此外，D1c 可通过新一代绝缘结构和改进的材料来确保稳定性，从而最大限度地减少单元间的干扰。通过改变晶体管和接触材料，可以最大限度地降低漏电流并确保工艺精度，从而允许引入新材料。

D1c 也与 HBM 的竞争力直接相关。HBM 是一种通过使用硅通孔 (TSV) 技术垂直堆叠多个 DRAM 芯片来增加带宽并降低延迟的存储器。最新一代 DRAM 工艺是堆叠这些 DRAM 芯片的关键技术。通过将 D1c 应用于 HBM4 等下一代 HBM，三星预计将在通过 NVIDIA 认证测试方面比竞争对手更具优势。

与此同时，三星电子于2021年开始D1c的开发，进行了两年的内部原型测试，并于2023年2月宣布对D1c进行全球首次验证。

随着此次D1c的成功开发，三星电子有望在未来将其应用扩展到HBM4、AI服务器DRAM等，从而确保内存芯片的可扩展性。[吃瓜]