【全永铉亲赴英伟达 三星HBM启动全线反攻[拳头]】三星电子负责设备解决方案（DS）部门的副会长全永铉近日亲赴英伟达总部，就GB300高性能计算卡所需的12层堆叠高带宽存储器（HBM）3E产品供应展开洽谈。继成功向超威半导体（AMD）供货后，三星试图借助这一成就，重振此前在英伟达供应链中失利的自信，打响反击之战。

据《首尔经济》1日报道，科技行业消息人士透露，全永铉上周访问美国硅谷，就12层堆叠HBM3E产品的质量验证及明年供货与英伟达进行深入讨论。这是全永铉5月初访问硅谷后，时隔不到两个月的第二次拜访。目前无法确认英伟达首席执行官（CEO）黄仁勋是否亲自参与会谈，但相关议题已经进入技术与量产层面的细节探讨。

知情人士称，三星在此次洽谈中强调第四代10纳米级DRAM的12层堆叠HBM3E产品，在改善基底和内核后，质量方面已经不输竞争对手。同时，三星还就向明年大规模出货的Blackwell Ultra供货进行交流。三星内部认为产品在性能上毫不逊色，并且已有向超威供货的先例，因此对结果持乐观态度。

三星电子近期正式宣布，为超威的人工智能（AI）加速器MI350X系列提供12层堆叠HBM3E产品。随着MI350X展现出超出预期的性能表现，外界对三星产品的疑虑逐渐消除，企业内部也更加坚定认为，通过英伟达的质量认证仅是时间问题，并有能力实现明年的大规模供货。

目前，英伟达计划今年年底开始出货Blackwell Ultra，该系列成为明年的主力AI加速器。首批所需的12层堆叠HBM3E芯片已与SK海力士及美光（Micron）签约。英伟达下一代产品Vera Rubin预计初期产量极为有限，Blackwell Ultra的需求或持续至后年。上一代H100 Hopper至今维持稳定销量，由此可见，最终HBM营收更多取决于长期供货份额而非初期出货数量。

据悉，英伟达目前尚未敲定2026年的供货协议。SK海力士与美光已经公开表示今年HBM产能售罄，但对明年的出货情况保持沉默。业内分析认为，三星电子的“第三供应商”身份是影响因素之一。如果三星成功进入英伟达12层堆叠HBM3E供应链，英伟达则在与SK海力士和美光的价格谈判中会处于更有利的位置。

半导体业内人士表示，目前SK海力士向英伟达提供的12层堆叠HBM3E产品平均售价（ASP）较8层产品高出约60%。如果三星的HBM质量令人满意，英伟达自然就有动力引入竞争机制，以此压低整体采购成本。

这一考量对英伟达的未来产品决策也造成影响。原定明年年底出货的Vera Rubin搭载的HBM4采用计划目前已经推迟。SK海力士与美光分别在3月和6月提供HBM4样品，而三星计划在7月至8月交付样品。英伟达目前正在等待三星样品，以决定最终走向。

三星方面则全力攻坚HBM4质量。与采用第五代10纳米级DRAM的SK海力士和美光产品不同，三星采用的是更先进的第六代制程，试图在下一代产品中实现性能超越。据悉，在此次与英伟达的会谈中，全永铉也表达出对三星HBM4性能的强烈信心。

业内普遍认为，自全永铉就任副会长以来，三星的存储芯片竞争能力正在迅速恢复。他上任后重点改善HBM3E的基底与内核结构，致力全面提升DRAM的核心竞争能力。在今年3月的三星电子股东大会上，全永铉强调：“我们正在努力提升HBM3E产品竞争能力，最快第二季度、最迟下半年，争取占据12层堆叠HBM3E市场的主导地位。”#三星电子##全永铉##英伟达#