【北大团队实现二维硒化铟半导体晶圆制备突破，关键参数优于英特尔 3 纳米节点】北大团队成功制备高质量二维硒化铟半导体晶圆，关键参数全面超越英特尔3纳米节点技术，为下一代高性能、低功耗晶体管技术奠定基础。#半导体突破# #新材料# ​