长鑫存储（CXMT）的DRAM产能（以晶圆投入量计算）今年第三季度扩大了约70%，达到72万片晶圆，而去年同期为42万片。按年计算，预计长鑫存储的DRAM晶圆产量将从2023年的162万片增至今年的273万片左右。

就在两三年前，长鑫存储在全球 DRAM 市场的份额还微不足道，甚至没有数据可查。但如今，该公司在短时间内迅速扩张了生产线，出货量也大幅提升。根据 Omdia 对明年 DRAM 出货量的预测，长鑫存储的 DRAM 出货量预计将接近行业第三大厂商美光。正因如此，预测显示，现有的“三巨头”（三星电子、SK 海力士、美光）DRAM 格局未来将重组为“四巨头”格局。

在NAND闪存领域，长江存储的快速产能扩张也加剧了市场供应过剩。尽管三星电子、SK海力士、铠侠和美光等主要公司由于NAND闪存价格下跌而持续减产，但长江存储自去年第一季度以来已大幅提高其武汉二厂的产量。今年第二季度，长江存储武汉二厂的NAND晶圆产量达到13万片（以晶圆计），是去年同期6万片晶圆产量的两倍多。长江存储的NAND总产量也比去年同期增长了42%。

两家公司都在拓展其产品组合，不仅涵盖商品化和老款内存产品，还涉足高端产品线。长鑫存储 (CXMT) 在高带宽内存 (HBM) 市场（目前由 SK 海力士领衔）的进展速度超出预期。长鑫存储计划在今年年底前完成第四代 HBM 产品 HBM3 的量产认证流程。

一位半导体设备行业人士表示：“长鑫存储正在积极扩建其在北京和合肥的工厂，预计未来还将投资HBM封装设备。长鑫存储的内部目标是在两年内量产第五代HBM（HBM3E），这是SK海力士和美光主导的尖端产品。”