采用普通外延平面型结构的双极型晶体管在制造工艺上具有高n型掺杂浓度的n+硅衬底上外延形成低掺杂浓度的n-层。 因此，集电极饱和电压低，击穿电压高。此外，由于在集电极到基极间使用了掺杂浓度较低的n-层，集电极、基极间的结电容也会降低。接着，从n-层上扩散p型掺杂形成基极。此外，n+型掺杂扩散到部分基极，形成发射极。最后，在顶部形成保 护膜，在顶部和底部形成电极，从而完成NPN型双极型晶体管。