报道：三星开始对“D1c”进行量产投资，这是下一代内存的关键举措 [吃瓜]

三星电子已启动其下一代 DRAM 的设施投资。这项投资旨在量产其第六代 10 纳米 (nm) 级 DRAM“D1c”。该公司正全力投入该产品，甚至连副董事长全永铉亲自监督其开发。值得注意的是，D1c 将用于下一代高带宽存储器 HBM4，这与三星重振 HBM 竞争力息息相关。此举被视为三星重振存储器业务领导地位的举措。

据业内人士6日透露，三星电子已开始发布采购订单，以建立D1c生产线。包括用于半导体晶圆热处理的退火工具在内的部分设备已下单。该公司还在与合作伙伴商讨沉积设备的引进规模，该设备用于在晶圆上形成薄膜。据了解，基于D1c的半导体芯片封装设备的供应商也正在遴选中。一位知情人士表示：“三星正在寻求同步、多方面的订单，为D1c的量产做准备”，并补充说，“这些生产线将在多个晶圆厂建立。”

D1c 是一款电路线宽约为 11-12 纳米的 DRAM。三星电子近期完成了 D1c 的开发，并获得了量产许可 (PRA)。D1c 也将应用于 HBM4，目标是在今年年底前实现量产。这被认为是三星在 HBM4 量产之前建立 D1c 生产线的战略举措。

此次投资将涉及现有生产线的改造（即所谓的“技术迁移”）和新生产线的建设。据悉，平泽2号和3号工厂（P2·P3）现有的D1x、D1y和D1z生产线将转换为D1c生产线。此外，平泽4号工厂（P4）也将进行新的投资。由于新生产线将在此处建设，预计将涉及现有设备的搬迁和新购设备的安装。

业界预测，此次投资将使三星在明年上半年拥有每月15万至20万片晶圆（以晶圆投入量为准）的D1c产能。这一数字超过了三星在2022年半导体热潮期间投资的产能（约13万片晶圆），彰显了该公司建立D1c量产体系的坚定决心。

这是因为，D1c是三星为恢复DRAM竞争力而精心研发的产品，也是决定其在下一代HBM市场成败的战略性产品。在SK海力士和美光的竞争中，三星电子难以向领先的AI半导体公司NVIDIA供应产品，而HBM4则旨在扭转局面。

尽管量产产品的实际性能、客户认可等挑战仍然存在，但据推测三星对D1c的性能充满信心，并正在准备大规模投资。这体现了该公司重夺HBM4市场领导地位的决心。

三星电子对下一代DRAM的投资对下游产业的积极影响也备受关注。这是因为三星重启了此前因财务状况恶化而被推迟的投资，甚至包括那些已经计划好的投资。

半导体设备行业一位消息人士表示：“D1c相关设备订单的洽谈不仅在平泽，还在华城和天安晶圆厂进行，其中天安晶圆厂负责封装业务。” 该消息人士补充道：“预计三星将带来积极的推动。”