【#有望推动国产光芯片成本大降#，我国成功开发 6 英寸 InP 激光器与探测器外延工艺】8 月 19 日消息，湖北九峰山实验室今日官宣，该实验室近日在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，成功开发出 6 英寸磷化铟（InP）基 PIN 结构探测器和 FP 结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。这一成果也是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用，为光电子器件产业化发展提供重要支撑。