如今的制程节点名称（如3nm、5nm）更多是一个反映晶体管密度、性能和功耗改进的“商业代号”或“技术代际标识”。 台积电或三星的“3纳米”工艺，其关键尺寸（如金属半节距）实际上可能在20纳米左右。但这绝不意味着它是“虚假”的。每一次制程节点的迭代，都确实带来了晶体管密度的大幅提升、性能的增强以及功耗的降低。例如，台积电的3nm工艺相比5nm工艺，理论上能在相同面积集成约1.7倍更多的晶体管，性能提升10%-15%，功耗降低25%-35%。
而麒麟9020的7纳米，也是电镜扫描计算出来的晶体管密度。因此，我比较赞同大嘴洞悉的观点。@大嘴洞悉Plus